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FFPF30UA60S
—
Ultrafast II Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF30UA60S Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Figure 4. Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Figure 5.Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current vs. di
F/dt
Figure 8. Forward Current Derating Curve
1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
10
100
TC
= 75
oC
TC
= 125
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
0.001
100 200 300 400 500 600
0.01
0.1
1
10
100
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Current , I
R
[
?
A
]
Reverse Voltage, VR
[V]
40
100 200 300 400 500
80
120
160
200
TC
= 125
oC
IF
= 30A
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
00.1 1 10 100
50
100
150
200
Capacitances , Cj [pF]
Typical Capacitance
at 0V = 205pF
Reverse Voltage, VR[V]
0
100 200 300 400 500di
F/dt [A/?s]
5
10
15
TC
= 75
oC
IF
= 30A
TC
= 25
oC
TC
= 125
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
0
25 50 75 100 125 150
10
20
30
40
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
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